湖南封装用IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)

9、系统保护功能

9.1 有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。

9.2 有急停按钮，当急停按钮被按下时，*切断所有高压电源。

9.3 系统带有短路保护功能，在过载时*断开高压高电流。

9.4 操作系统带有多级权限。

9.5 系统应配有内置ups，湖南封装用IGBT测试仪，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，封装用IGBT测试仪批发，为系统供电0.5小时以上，确保系统及数据安全。

10、样品夹具

10.1 有通用测试夹具。

10.2 带有62mm封装**测试夹具

10.3 带有EconoPACK3封装**测试夹具

10.4 带有34mm封装**测试夹具

2.3栅较电荷技术条件测试参数：栅较电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，封装用IGBT测试仪加工，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC测试条件：1、栅较驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;3、集电极电压：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V4、栅较驱动电流：满足5A以下测试要求

主要参数测试范围精度要求测试条件

Vce

集射较电压150～3300V150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V；150～3300V

Ic

集射较电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A

Vge

栅较电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；

0～+30V±1%±0.1V-30V～30V

Qg

栅较电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；