3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源:10~1500V连续可调?支撑电容:额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求:0.1~10V±3%±0.01V?栅较电压输出要求:5~25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度: 200~500A±3%±1A;500~1000A±2%±2A?测试脉冲宽度:0.1~1ms可设定4)栅较漏电流测试电路 栅较漏电流测试电路?可调电源:±1V~±40V±2%±0.1V;?小电流测量设备精度:0.01~10μA±2%±0.005μA?栅较电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;?脉冲时间:40~100ms可设定
7、测量配置
7.1 示波器:美国泰克新5系混合信号示波器(MSO),带宽500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;
7.2 高速电流探头;
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通:turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak ,新能源汽车**IGBT测试仪批发, Eon , Pon );
8.2 关断:turn off (tdoff ,新能源汽车**IGBT测试仪厂家, tf , Eoff , Ic , Poff);
8.3 反向恢复 (Irr,北京新能源汽车**IGBT测试仪,Trr,新能源汽车**IGBT测试仪价格,di/dt,Qrr,Erec);
8.4 栅电荷:采用恒流驱动,电流可调范围:0~100mA;
8.5 短路(1200Amax);
8.6 雪崩;
8.7 NTC(模块)测试:0-20KΩ;
8.8 主要测试参数精度偏差 :< 3 % 。
产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。