华科半导体测试仪-大功率IGBT测试仪批发

5、感性负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，云南IGBT测试仪批发，以计算电流源的极限，高铁**IGBT测试仪批发，限制脉宽到1000us）。

6、标准的双控制较驱动

6.1 门较电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；

6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5Ω；

3.6VCES集射较截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射较截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅较电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅较漏电流0.01～10μA栅较漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅较电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；

8）高压大功率开关

?电流能力200A

?隔离耐压10kV

?响应时间150ms

?脉冲电流20kA（不小于10ms）

?工作方式气动控制

?工作气压0.4MPa

?工作温度室温～40℃

?工作湿度<70%

9）尖峰抑制电容

用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。

?电容容量200μF

?分布电感小于10nH

?脉冲电流200A

?工作温度室温～40℃

?工作湿度<70%