9)尖峰抑制电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流2kA ?工作温度室温~40℃?工作湿度<70% 11)动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μs?工作温度室温~40℃?工作湿度<70%12)安全工作区测试续流二极管?反向电压12kV(3只串联)?-di/dt大于2000A/μS?通态电流1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μS?工作温度室温~40℃?工作湿度<70%
2.2反向恢复技术条件测试参数:1、Irr(反向恢复电流):50~1000A50~200A±3%±1A200~1000A±3%±2A2、Qrr (反向恢复电荷):1~1000uC1~50uC±5%±0.1 uC50~200uC±5%±1 uC200~1000uC±5%±2 uC3、trr(反向恢复时间):20~2000ns20~100±5%±1ns100~500±5%±2ns500~2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失):0.5~1000mJ0.5~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ50~200mJ±5%±1mJ200~1000mJ±5%±2mJ测试条件:1、正向电流IFM:50~1000A50~200A±3%±1A200~1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围:200~10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk:200~1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围:100~10000V/us
华科智源IGBT电参数测试仪,IGBT测试仪系统,可用于多种封装形式的IGBT的测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双较型晶体管等器件的VI特性测试,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。
深圳市华科智源科技有限公司,是一家专业从事功率半导体测试系统*制造与综合测试分析服务的**企业,坐落于**之都-中国深圳,核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产,云南IGBT测试仪,公司产品主要涉及SMT首件检测仪,MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,在线式检修用IGBT测试仪,变频器检修用IGBT测试仪,IGBT模块测试仪,轨道交通检修用IGBT测试仪,风力发电检修用IGBT测试仪。